Рефераты по теме Радиоэлектроника

Реферат Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах скачать бесплатно

Скачать реферат бесплатно ↓ [10.73 KB]

Текст реферата Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах

                Государственный комитет по высшей школе.

      Московский Государственный Институт Электроники и Математики

                       (Технический Университет)



























                           РЕФЕРАТ НА ТЕМУ





                 АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС

                     НА БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛАХ































                                     Кафедра:      МЭТ

                                     Руководитель: Фонарев



                                     Исполнитель:  Ференец

                                                   Дмитрий Александрович

                                     Группа:       АП-41



































                               Москва, 1995 г.







                   Предварительные сведения.



     В данном реферате  рассматриваются  технологии,  связанные  с

особенностями проектирования СБИС на базовых матричных кристаллах.

Рассказывается о самом понятии базового матричного кристалла. Ана-

лизируются основные этапы автоматизированного процесса пректирова-

ния.







            ПОТРЕБНОСТЬ ЭФФЕКТИВНОГО ПРЕКТИРОВАНИЯ СБИС.

                   СТАНДАРТНЫЕ И ПОЛУЗАКАЗНЫЕ ИС.

                БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ТИПОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ.





     Характерной тенденцией развития элементной  базы  современной

электронно-вычислительной аппаратуры является быстрый рост степени

интеграции. В этих условиях актуальной становится проблема ускоре-

ния темпов разработки узлов аппаратуры, представляющих собой БИС и

СБИС. При решении данной проблемы  важно  учитывать  существование

двух различных классов интегральных схем: стандартных (или крупно-

серийных) и заказных. К первым относятся схемы, объем производства

которых достигает  миллионов  штук  в  год.  Поэтому  относительно

большие затраты на их проектирование и  конструирование оправдыва-

ются. Этот класс схем