Рефераты по теме Радиоэлектроника

Реферат Туннелирование в микроэлектронике скачать бесплатно

Скачать реферат бесплатно ↓ [76.21 KB]

Текст реферата Туннелирование в микроэлектронике

  МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ БЕЛАРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОННИКИ Кафедра химии Факультет компьютерного проектирования

КУРСОВАЯ РАБОТА

по курсу: «Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС»  на тему: «ТУННЕЛИРОВАНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ            » Выполнил:                                                                                                                             Приняла: студент гр. 910204                                                                                                              Забелина И. А. Шпаковский В.А.  Минск 2001 г.

СОДЕРЖАНИЕ

                                                                                                                                                           стр. 1.  Туннельный эффект……………………………………………………………………………3   2.  ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ   2.1  Контакт металл-металл…………………………………………………………...…………..5 2.2  Структура металл-диэлектрик-металл………….……………………………………………8 2.3  Токоперенос в тонких плёнках………………………………………………………………10 2.4  Туннельный пробой в p-n-переходе…………………………………………………………12 2.5  Эффекты Джозефсона………………………………………………………………………...13 2.6  Эффект Франца-Келдышева………………………………………………………………….15 3     Туннельный диод…..…………………………………………………………………………17 Литература………………………………………………………………………………………….20 1.     Туннельный эффект    Рассмотрим поведение частицы при прохождении через потенциальный барьер. Пусть частица, движущаяся слева направо, встречает на своём пути потенциальный барьер высоты U0 и ширины l (рис. 1.1). По классическим представлениям движение частицы будет таким:          U(x)                                            - если энергия частицы будет больше высоты барьера (E>U0),                                                                                                                                                                                            то частица  беспрепятственно проходит над   барьером;                                                                                                                                                                                                                                                                                                                U0                                          - если же энергия частицы будет меньше высоты барьера                                                     E                                                         (E