Рефераты по теме Радиоэлектроника

Реферат Усилитель промежуточной частоты скачать бесплатно

Скачать реферат бесплатно ↓ [130.11 KB]

Текст реферата Усилитель промежуточной частоты

Кафедра КПРА

Курсовая работа по курсу: “Технологические процессы            микроэлектроники”
На тему: ”Усилитель промежуточной частоты”










Выполнил ст. гр. 952
Проверил:

     

Рязань 2002

Содержание

 TOC \o "1-3" \h \z Кафедра КПРА.. PAGEREF _Toc515338345 \h 1
Рязань 2001. PAGEREF _Toc515338346 \h 1
Содержание. PAGEREF _Toc515338347 \h 2
Исходные данные:. PAGEREF _Toc515338348 \h 3
Введение. PAGEREF _Toc515338349 \h 4
Анализ технического задания. PAGEREF _Toc515338350 \h 5
Разработка топологии. PAGEREF _Toc515338351 \h 6
Резисторы. PAGEREF _Toc515338352 \h 6
Конденсаторы.. PAGEREF _Toc515338353 \h 11
Заключение…………………………………………………………………………………………….16
Список литературы.. PAGEREF _Toc515338357 \h 17

Рис. 1 Усилитель промежуточной частоты. Схема электрическая принципиальная №17

Исходные данные:

Номиналы

R1, R10 – Резистор    12.0 kОМ    2шт;                          C1, C4 – Конденсатор    0.03 мкФ   2шт R2          – Резистор    7.5 kОМ      1шт;                          С2, С5 – Конденсатор   6800 рФ     2шт R3          – Резистор    5.0 kОМ      1шт;                          С3, С6 – Конденсатор   1500 рФ     2шт R4, R7   – Резистор    15.0 kОМ    2шт; R5          – Резистор    2.0 kОМ      1шт;                          VT1, VT2 – Транзистор  КТ324В    2шт R6          – Резистор    510 ОМ       1шт;                                                          (СБО.336.031 ТУ) R8          – Резистор    0.34 kОМ    1шт; 
R9          – Резистор    2.8 kОМ      1шт;                          ТР1 – Трансформатор ВЧ.               1шт
Плату следует изготовить методом фотополитографии. Эксплуатационные требования: Тр = -150 +400С, tэ = 1000 ч., корпус, серия К151,159.

Введение

Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппаратуры, повышение ее надежности. До появления интегральных микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов. Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем. Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем, что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей, а из функциональных схем, образованных в едином технологическом процессе производства. Основными разновидностями технологии микросхем являются: пленочная, полупроводниковая и смешанная. В пленочной технологии интегральная микросхема образуется нанесением на диэлектрическую подложку в определенной последовательности пленок из соответствующих материалов.