Рефераты по теме Радиоэлектроника

Реферат Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре скачать бесплатно

Скачать реферат бесплатно ↓ [24.87 KB]

Текст реферата Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре

Министерство общего и профессионального образования РФ Воронежский государственный университет факультет ПММ кафедра Дифференциальных уравнении Курсовая работа “Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре” Исполнитель : студент 4 курса 5 группы Никулин Л.А. Руководитель : старший  преподаватель Рыжков А.В. Воронеж 1998г. ОГЛАВЛЕНИЕ                                             МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В МДП-СТРУКТУРЕ Математическая модель          - - - - - - - - - - - - - - - - - - -  3 ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ К РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ Использование разностных схем для решения уравнения Пуассона  и для граничных условий раздела сред Уравнение Пуассона                                   - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -    5 Граничные условия раздела сред             - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -    8 Общий алгоритм численого решения задачи Метод установления                                   - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -    10 Метод переменных направлений            - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -    13 Построение разностных схем                    - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -   16 ПРИЛОЖЕНИЕ                               - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ЛИТЕРАТУРА                                  - - - - - - - - - - - - - - - - - - - Математическая модель распределения потенциала в МДП-структуре Математическая модель Пусть j(x,y) - функция, описывающая распределение потенциала в полупроводниковой структуре. В области оксла (СDEF) она удовлетворяет уравнению Лапласа: d2j  +  d2j    = 0  dx2      dy2 а в области полупроводника (прямоугольник  ABGH) - уравнению Пуассона: d2j   +   d2j   = 0  dx2        dy2 где     q               - элементарный  заряд  e; enn                      -диэлектрическая проницаемость кремния; Nd(x,y)       -распределение концентрации донорской примеси в подложке ; Na(x,y)       -распределение концентрации акцепторной примеси в подложке;  e0               -диэлектрическая постоянная

Область окисла

Область полупроводника

                 0                                   D                         E                                                                                                                       y                  B                                                                                                                                                                    G                                                      C                                           F