Рефераты по теме Радиоэлектроника

Реферат Диффузионные процессы в тонких слоях пленок при изготовление БИС методом толстопленочной технологии скачать бесплатно

Скачать реферат бесплатно ↓ [946.7 KB]

Текст реферата Диффузионные процессы в тонких слоях пленок при изготовление БИС методом толстопленочной технологии

Оглавление
1. Введение.
2. Общие сведения о диффузии по границам зерен.
3. Краткое рассмотрение метода теоретического расчета
диффузии для случая В по классификации Фишера.
4. Общие сведения об определение профиля концентрации
методом радиоактивных индикаторов.
5. Метод удаления микрослоев путем распыления Ar.
(с описанием установки.)
6. Данные (практические) исследования профилей концентрации
методом радиоактивных индикаторов.
7. Список литературы.
8. Оглавление.
В данной работе кратко рассмотрена механическая диффузия
в слоях тонких пленок . Приведена основная классификация
диффузии в тонких пленках ( по Фишеру ). Кратко рассмотрен
математический вывод нахождения концентрации
диффундирующих веществ в случае В по Фишеру . Приведен
практический метод исследования профилей концентрации на
конкретной установке и также приведен профиль диффузии 195Au
в поликристаллическом образце Au.
1. ВВЕДЕНИЕ.
Тонкие пленки играют очень важную роль в современной технике.
Особенно успешно они применяются в быстро развивающейся
технологии интегральных схем. Они служат также основными
элементами в столь различных областях техники , как устройства
для преобразования солнечной энергии в электрическую энергию ,
и сверхпроводниковые приборы . Важное требование к
тонкопленочным структурам в этих применениях состоит в том ,
чтобы они сохраняли свое строение. В структурах на основе
массивных объектов или толстых слоев взаимодиффузию и реакции
на расстояние ~ 100А обычно можно не принимать во внимание .
В случае же тонкопленочных структур могут протекать резко
выраженные реакции даже при комнатной температуре. Причем
только недавно были созданы экспериментальные методы ,
позволяющие изучать эффекты переноса вещества в столь малых
пространственных масштабах. Основная цель доклада рассмотреть
диффузионные явления в тонких пленках , а также современные
методы их исследования. Основные трудности анализа возникают ,
когда толщина пленки лежит в интервале от ~ 10 до нескольких
микрометров.
Совершенно очевидно, что исследование реакций в тонких пленках
по большей части стимулируются требованиями технологии.
Эти требования могут возрастать по мере усиления ограничений ,
накладываемых на материал и размер пленок. В самом деле в
области интегральных схем мы подходим к рубежу , когда пленки
по своим размерам будут близки к атомным расстояниям.
Общие сведения о диффузии по границам зерен .
Под диффузией по ГЗ буквально можно понимать движение
атомов, происходящие в области границы раздела между двумя
зернами.
В теории диффузии многие исследователи считают эту область , в
которой скорость диффузии велика почти двухмерной , с границей
порядка межатомного расстояния . Однако